IRHMS57160SCSA
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IRHMS57160SCSA

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IRHMS57160SCSA
IRHMS57160SCSA
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    45 A
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7471T1
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    13 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHMS57160SCSA R5 N 沟道 MOSFET 是一款航天级器件，具有防辐射设计、额定电压为 100V、额定电流为 45A。它采用 TO-254AA 低欧姆封装，具有引线朝下的结构。该 MOSFET 提供高达 100krad(Si) TID 分类的电气性能。其低 RDS(on) 和栅极电荷有助于降低开关应用中的功率损耗，同时保留 MOSFET 的所有固有优势。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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