现货，推荐

IRHMS57160SCSA

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHMS57160SCSA
IRHMS57160SCSA
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7471T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    13 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC LFD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC LFD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMS57160SCSA R5 N 沟道 MOSFET 是一款航天级器件，具有防辐射设计、额定电压为 100V、额定电流为 45A。它采用 TO-254AA 低欧姆封装，具有引线朝下的结构。该 MOSFET 提供高达 100krad(Si) TID 分类的电气性能。其低 RDS(on) 和栅极电荷有助于降低开关应用中的功率损耗，同时保留 MOSFET 的所有固有优势。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }