IRHMS57163SE
现货，推荐

IRHMS57163SE

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHMS57163SE
IRHMS57163SE
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    45 A
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7475T1
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    15.5 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    130 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMS57163SE R5 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射太空级器件，额定电压为 130V，额定电流为 45A。它采用 TO-254AA 低欧姆封装，提供高达 100krad(Si) TID 分类的电气性能。该 MOSFET 具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可确保降低开关应用中的功率损耗。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区