IRHMS63264SCS

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IRHMS63264SCS
IRHMS63264SCS

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    28.5 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    220 C
  • QPL Part Number
    2N7586T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    41 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-254AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    QIRL
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
R6 技术是 IRHMS63264SCS 抗辐射、250V、45A N 沟道 MOSFET 的基础,该 MOSFET 采用 TO-254AA 低欧姆封装,适用于太空应用。这些 MOSFET 具有更好的抗单粒子效应 (SEE) 能力,且线性能量转移 (LET) 性能优良,高达 85 MeV·cm2/mg。低 RDS(on) 和快速开关时间使其成为 DC-DC 转换器或电机驱动器的理想选择,同时保留了传统 MOSFET 的优点。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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