IRHMS67160SCS

数据手册

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IRHMS67160SCS
IRHMS67160SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    170 C
  • QPL部件号
    2N7580T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    11 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHMS67160SCS 是高性能抗辐射 N 沟道 MOSFET，额定电压为 100V，电流为 45A，总剂量和单粒子效应 (SEE) 高达 90 MeV·cm2/mg，采用 TO-254AA 低欧姆封装，可降低开关应用中的功率损耗。电气性能高达100krad(Si) TID，QIRL分类。保留了电压控制、快速切换和电气参数的温度稳定性。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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