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IRHMS67260SCV

数据手册
封装

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IRHMS67260SCV
IRHMS67260SCV
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    35 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    230 nC
  • QPL部件号
    2N7584T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    29 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMS67260SCV R6 N沟道MOSFET专为空间应用而设计，最大电压为200V，最大电流为45A。其抗辐射技术可实现高达 100krad（Si）TID 的电气性能，并且其总剂量和单粒子效应（SEE）特性使其有用性能高达 90 MeV·cm2/mg 的 LET。MOSFET 的低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器的理想选择。

应用

文档

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设计资源

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