IRHMS67264SCSA

数据手册

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IRHMS67264SCSA
IRHMS67264SCSA
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    28.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • QG
    220 nC
  • QPL部件号
    2N7586T1
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    41 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • 最低 VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHMS67264SCSA R6 MOSFET 专为具有抗辐射能力、250V 和 45A 的空间应用而设计。凭借低 RDS(on) 和低栅极电荷，它可以降低开关应用中的功率损耗。它保留了MOSFET的快速开关、电压控制和温度稳定性的所有优点。其特点是总剂量和单粒子效应高达 90 MeV·cm2/mg LET。

应用

文档

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }