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32-bit FM Arm® Cortex® Microcontroller
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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IRHMS6S7160
商品详情
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ESD ClassClass 3A
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ID (@100°C) max45 A
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ID (@25°C) max45 A
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QG170 C
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RDS (on) (@25°C) max11 mΩ
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SEEYes
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TID max100 Krad(Si)
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VBRDSS100 V
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VF max1.2 V
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PackageTO-254AA Low Ohmic
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| 封装名 |
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IRHMS6S7160 R6 N 沟道 MOSFET 是一款用于空间应用的抗辐射 MOSFET，具有 100V 和 45A 的特性。凭借低 RDS(on) 和低栅极电荷，它可以降低开关应用中的功率损耗。其特点是总剂量和单粒子效应高达 90 MeV·cm2/mg LET。该 MOSFET 保留了 MOSFET 的所有优点，包括电压控制、快速开关和温度稳定性，并且符合 COTS 标准。