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IRHMS6S7160
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IRHMS6S7160 R6 N 沟道 MOSFET 是一款用于空间应用的抗辐射 MOSFET，具有 100V 和 45A 的特性。凭借低 RDS(on) 和低栅极电荷，它可以降低开关应用中的功率损耗。其特点是总剂量和单粒子效应高达 90 MeV·cm2/mg LET。该 MOSFET 保留了 MOSFET 的所有优点，包括电压控制、快速开关和温度稳定性，并且符合 COTS 标准。