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32-bit FM Arm® Cortex® Microcontroller
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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IRHMS6S7264SCS
商品详情
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ESD ClassClass 3A
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ID (@100°C) max28.5 A
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ID (@25°C) max45 A
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QG220 C
-
RDS (on) (@25°C) max41 mΩ
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SEEYes
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TID max100 Krad(Si)
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VBRDSS250 V
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VF max1.2 V
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Optional TID Rating (kRad(si))100 300
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PackageTO-254AA Low Ohmic
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PolarityN
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Die Size6
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IRHMS6S7264SCS R6 N 沟道 MOSFET 是一款 QIRL 级抗辐射 MOSFET，适用于 200V 和 45A 的空间应用。其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用中的功率损耗。该器件保留了 MOSFET 的所有优点，其总剂量和单粒子效应高达 90 MeV·cm2/mg。