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IRHMS9A93260

数据手册
封装

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IRHMS9A93260
IRHMS9A93260
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    3B
  • ID (@25°C) max
    -45 A
  • QG
    230 nC
  • QPL Part Number
    2N7666T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    34 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • VF max
    -1.3 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    Low-Ohmic TO-254AA
  • Polarity
    P
  • Generation
    R9
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMS9A93260 P 沟道 MOSFET 具有抗辐射性能，电压为 -200V，电流为 -45A，采用单个 TO-254AA 低欧姆封装，电气性能高达 300krad(Si) TID。IR HiRel R9 技术在高可靠性空间应用方面提供了经过验证的飞行传承。该器件的低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为开关应用的理想选择。

应用

文档

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }