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IRHNA597Z60

数据手册
封装

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IRHNA597Z60
IRHNA597Z60
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    -56 A
  • ID (@25°C) max
    -56 A
  • QG
    220 nC
  • QPL部件号
    2N7523U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    13 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -30 V
  • VF max
    -5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA597Z60 是一款 R5、抗辐射、-30V、-56A、单 P 通道 MOSFET，采用 SMD-2 封装。它具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，从而最大程度地减少功率损耗，并可处理高达 100krad(Si) TID 的电气性能，使其适用于空间应用。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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