IRHNA67260
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IRHNA67260

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封装

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IRHNA67260
IRHNA67260
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    40 A
  • 最高 ID (@25°C)
    56 A
  • QG
    240 nC
  • QPL部件号
    2N7583U2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    28 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNA67260 R6 N 沟道 MOSFET 是一款适用于空间应用的高性能抗辐射功率 MOSFET。额定电压为 200V，额定电流为 40A，可提供高达 100krad(Si) TID 的可靠电气性能。其低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为开关应用的理想选择，同时保留了 MOSFET 的优点。这是一个 COTS 设备。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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