IRHNA6S7160SCSD

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数据手册

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IRHNA6S7160SCSD
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    56 A
  • 最高 ID (@25°C)
    56 A
  • QG
    170 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    10 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-2
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
  • 质量等级
    COTS

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
这款 R6 抗辐射 N 沟道 MOSFET 采用 SMD-2 封装并位于 DBC 载体上。其电压为 100V，容量为 56A，可提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。IRHNA6S7160SCSD 非常适合空间应用，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用中的功率损耗。电压控制、快速开关和温度稳定性使该 MOSFET 成为任何高性能应用的理想选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区