IRHNA6S7160SCSD

数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNA6S7160SCSD
IRHNA6S7160SCSD
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    56 A
  • 最高 ID (@25°C)
    56 A
  • QG
    170 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    10 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
这款 R6 抗辐射 N 沟道 MOSFET 采用 SMD-2 封装并位于 DBC 载体上。其电压为 100V，容量为 56A，可提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。IRHNA6S7160SCSD 非常适合空间应用，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用中的功率损耗。电压控制、快速开关和温度稳定性使该 MOSFET 成为任何高性能应用的理想选择。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }