IRHNA6S7264

数据手册

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IRHNA6S7264
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数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    31.5 A
  • ID (@25°C) max
    50 A
  • QG
    220 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    40 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNA6S7264 R6 SMD-2 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射、250V、31.5A COTS 器件，具有高达 100krad(Si) TID 和 90 MeV·cm2/mg 的 LET。其低 RDS(on) 和栅极电荷可最大限度地减少 DC-DC 转换器和电机控制器中的功率损耗，同时保持 MOSFET 的优势，如电压控制、快速开关和温度稳定性。

应用

文档

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