现货，推荐

IRHNA7064

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNA7064
IRHNA7064
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    56 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    270 nC
  • QPL部件号
    2N7431U
  • RDS (on) (@25°C) max
    15 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
N 沟道 MOSFET IRHNA7064 是单个、抗辐射、60V、56A 器件，电气性能高达 100krad(Si) TID。R4 代，采用 SMD-2 封装并使用 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术，使其适用于高性能空间电源应用。低 RDS(on) 和栅极电荷使其适合于低功耗的开关应用。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }