IRHNA7260SESCV
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IRHNA7260SESCV

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封装

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IRHNA7260SESCV
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    27 A
  • 最高 ID (@25°C)
    43 A
  • QG
    290 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    70 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.8 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-2
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    6
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA7260SESCV N 沟道 MOSFET 是单个、抗辐射、200V、27A 器件，电气性能高达 100krad(Si) TID。R4 代，采用 SMD-2 封装并使用 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术，非常适合太空中的高性能电源应用。低 RDS(on) 和栅极电荷使其适合于低功耗的开关应用。其 QIRL 分类确保了质量和可靠性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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