IRHNA7260SESCV
现货，推荐

IRHNA7260SESCV

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNA7260SESCV
IRHNA7260SESCV
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    27 A
  • 最高 ID (@25°C)
    43 A
  • QG
    290 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    70 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.8 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNA7260SESCV N 沟道 MOSFET 是单个、抗辐射、200V、27A 器件，电气性能高达 100krad(Si) TID。R4 代，采用 SMD-2 封装并使用 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术，非常适合太空中的高性能电源应用。低 RDS(on) 和栅极电荷使其适合于低功耗的开关应用。其 QIRL 分类确保了质量和可靠性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区