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IRHNA7360SESCS

数据手册
封装

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IRHNA7360SESCS
IRHNA7360SESCS
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    15 A
  • ID (@25°C) max
    24 A
  • QG
    250 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    200 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    400 V
  • VF max
    1.4 V
  • Download Model
    https://www.infineon.com/cms/dgdl/Infineon-Spice_File_IRHNA7360SE-SimulationModels-v01_01-EN.spi?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f4f46f2211e3
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    SMD-2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
该 N 沟道 MOSFET 是单个、抗辐射、400V、15A 器件，电气性能高达 100krad(Si) TID。IRHNA7360SESCS 采用 SMD-2 封装并使用 R4 HEXFET 技术，非常适合需要高性能电源的空间应用。其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低开关应用（如 DC-DC 转换器和电机控制）中的功率损耗。其QIRL筛选水平确保了质量和可靠性。

应用

文档

文档

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