IRHNA7360SESCS
现货，推荐

IRHNA7360SESCS

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNA7360SESCS
IRHNA7360SESCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    15 A
  • 最高 ID (@25°C)
    24 A
  • QG
    250 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    200 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    400 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
该 N 沟道 MOSFET 是单个、抗辐射、400V、15A 器件，电气性能高达 100krad(Si) TID。IRHNA7360SESCS 采用 SMD-2 封装并使用 R4 HEXFET 技术，非常适合需要高性能电源的空间应用。其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低开关应用（如 DC-DC 转换器和电机控制）中的功率损耗。其QIRL筛选水平确保了质量和可靠性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区