现货,推荐

IRHNA7360SESCS

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNA7360SESCS
IRHNA7360SESCS

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    15 A
  • ID (@25°C) max
    24 A
  • QG
    250 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    200 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    400 V
  • VF max
    1.4 V
  • Download Model
    https://www.infineon.com/cms/dgdl/Infineon-Spice_File_IRHNA7360SE-SimulationModels-v01_01-EN.spi?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f4f46f2211e3
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    SMD-2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
该 N 沟道 MOSFET 是单个、抗辐射、400V、15A 器件,电气性能高达 100krad(Si) TID。IRHNA7360SESCS 采用 SMD-2 封装并使用 R4 HEXFET 技术,非常适合需要高性能电源的空间应用。其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低开关应用(如 DC-DC 转换器和电机控制)中的功率损耗。其QIRL筛选水平确保了质量和可靠性。

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }