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传感器技术
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微控制器
32-bit FM Arm® Cortex® Microcontroller
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微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2xx安全模块
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32 位TriCore™ AURIX™ – TC3xx
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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IRHNA7360SESCS
商品详情
-
ESD ClassClass 3B
-
ID (@100°C) max15 A
-
ID (@25°C) max24 A
-
QG250 nC
-
RDS (on) (@25°C) max200 mΩ
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SEEYes
-
TID max100 Krad(Si)
-
VBRDSS400 V
-
VF max1.4 V
-
Product CategoryRad hard MOSFETS
-
Optional TID Rating (kRad(si))100
-
PackageSMD-2
-
PolarityN
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Voltage Class100 V
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Die Size6
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QualificationCOTS
-
LanguageSPICE
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ConfigurationDiscrete
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OPN
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| 无铅 | No | |
| 无卤素 | No | |
| 符合RoHS标准 | No | |
|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SMD-2 standard |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
该 N 沟道 MOSFET 是单个、抗辐射、400V、15A 器件，电气性能高达 100krad(Si) TID。IRHNA7360SESCS 采用 SMD-2 封装并使用 R4 HEXFET 技术，非常适合需要高性能电源的空间应用。其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低开关应用（如 DC-DC 转换器和电机控制）中的功率损耗。其QIRL筛选水平确保了质量和可靠性。