现货，推荐
符合RoHS标准

IRHNA7360SESCSA

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNA7360SESCSA
IRHNA7360SESCSA
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    15 A
  • 最高 ID (@25°C)
    24 A
  • QG
    250 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    200 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    400 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 with leads, Au finish
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 with leads, Au finish
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
R4 抗辐射 IRHNA7360SESCSA 是一款专为空间应用而设计的高性能 N 沟道 MOSFET。这款 QIRL 分类设备采用抗辐射设计、400V/15A 额定值和 SMD-2 封装，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可最大限度地减少开关功率损耗。它还具有 MOSFET 的特色，如电压控制、快速切换和温度稳定性。引线附件增强了其可靠性。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }