IRHNA7360SESCSA
现货，推荐
符合RoHS标准

IRHNA7360SESCSA

数据手册
封装

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IRHNA7360SESCSA
IRHNA7360SESCSA
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    15 A
  • 最高 ID (@25°C)
    24 A
  • QG
    250 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    200 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    400 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-2
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 with leads, Au finish
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 with leads, Au finish
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
R4 抗辐射 IRHNA7360SESCSA 是一款专为空间应用而设计的高性能 N 沟道 MOSFET。这款 QIRL 分类设备采用抗辐射设计、400V/15A 额定值和 SMD-2 封装，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可最大限度地减少开关功率损耗。它还具有 MOSFET 的特色，如电压控制、快速切换和温度稳定性。引线附件增强了其可靠性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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