IRHNA93160D
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IRHNA93160D

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IRHNA93160D
IRHNA93160D

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    -24 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -38 A
  • QG
    290 nC
  • QPL部件号
    2N7425U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    68 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • 最高 VF
    -3.3 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    P
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNA93160D 是一款 R4、抗辐射、-100V、-38A、单 P 通道 MOSFET,采用 SMD-2 封装,位于 DBC 载体上。其电气性能高达 300krad(Si) TID,可靠地适用于太空应用。其低 RDS(on) 和低栅极电荷使其适用于 DC-DC 转换器和电机控制。该设备提供电压控制、快速切换并且温度稳定。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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