IRHNJ57130SCSA

数据手册

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IRHNJ57130SCSA
IRHNJ57130SCSA
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    16 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7481U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    75 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNJ57130SCSA 是一款抗辐射 N 沟道 MOSFET，额定电压为 200V，额定电流为 16A。单个 N 沟道 MOSFET 采用 SMD-0.5 封装，并附带引线。该 COTS 部件非常适合空间应用，采用经过数十年可靠性验证的 IR HiRel R5 技术。它具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低功率损耗并将电气性能降低至 100krad TID。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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