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符合RoHS标准

IRHNJ597130SCVB

数据手册
封装

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IRHNJ597130SCVB
IRHNJ597130SCVB
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    -8 A
  • ID (@25°C) max
    -12.5 A
  • QG
    45 nC
  • QPL Part Number
    2N7545U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    205 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -5 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    P
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    QIRL
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 LF, Au lead finish
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 LF, Au lead finish
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNJ597130SCVB 是一款 R5、抗辐射、-100V、-12.5A、单个 P 通道 MOSFET，采用 SMD-0.5 封装，引线已连接并成型。其电气性能高达 100krad(Si) TID，具有 QIRL 分类，并具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，使其适用于 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用，同时保留了 MOSFET 的优点。

应用

文档

文档

设计资源

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