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IRHNJ63C30SCS

数据手册
封装

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IRHNJ63C30SCS
IRHNJ63C30SCS
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    2.2 A
  • ID (@25°C) max
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • QPL Part Number
    2N7598U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    2900 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    QIRL
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNJ63C30SCS R6 MOSFET 是一款抗辐射、单 N 沟道器件，具有 600V 和 3.4A 容量，采用 SMD-0.5 封装。其电气性能高达 300krad(Si) TID，并符合 QIRL 太空标准。其非常低的 RDS(on) 和更快的开关时间使其成为高速开关应用的理想选择，同时保留了 MOSFET 的优势，例如电压控制和温度稳定性。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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