IRHNJ67130A
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IRHNJ67130A

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封装

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IRHNJ67130A
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    19 A
  • 最高 ID (@25°C)
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7587U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    42 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
采用 SMD-0.5 封装的抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNJ67130A 为高速开关应用提供了卓越的功率，具有 200V 和 16A 的容量。凭借改进的 SEE 抗扰度和高达 100krad (Si) TID 的电气性能，它非常适合空间应用。其非常低的 RDS(on) 和更快的开关时间可提高功率密度并降低功率损耗。这款 COTS R6 MOSFET 是卫星电源系统设计中经过验证的选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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