现货，推荐
符合RoHS标准

IRHNJ67130SCSB

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNJ67130SCSB
IRHNJ67130SCSB
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    19 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL Part Number
    2N7587U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    42 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    QIRL
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 LF, Au lead finish
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 LF, Au lead finish
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNJ67130SCSB R6 N 沟道 MOSFET 是一种高度可靠的抗辐射设备，专为空间应用而设计。该 MOSFET 额定电压为 100V，电流能力为 3.4A，具有更好的抗单粒子效应能力，且 LET 可达 90MeV/mg/cm²，具有实用性能。凭借低 RDS(on) 和更快的开关时间，该 MOSFET 可降低功率损耗并提高高速开关应用中的功率密度。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }