IRHNJ67130SCSB
现货，推荐
符合RoHS标准

IRHNJ67130SCSB

数据手册
封装

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IRHNJ67130SCSB
IRHNJ67130SCSB
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    19 A
  • 最高 ID (@25°C)
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7587U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    42 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNJ67130SCSB R6 N 沟道 MOSFET 是一种高度可靠的抗辐射设备，专为空间应用而设计。该 MOSFET 额定电压为 100V，电流能力为 3.4A，具有更好的抗单粒子效应能力，且 LET 可达 90MeV/mg/cm²，具有实用性能。凭借低 RDS(on) 和更快的开关时间，该 MOSFET 可降低功率损耗并提高高速开关应用中的功率密度。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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