IRHNJ67134B
现货，推荐
符合RoHS标准

IRHNJ67134B

数据手册
封装

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IRHNJ67134B
IRHNJ67134B
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    12 A
  • 最高 ID (@25°C)
    19 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7589U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    88 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 LF, Au lead finish
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 LF, Au lead finish
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNJ67134B R6 N 沟道 MOSFET 是采用 SMD-0.5 封装的单个 150V、19A 器件。经过抗辐射处理，其电气性能高达 100krad（Si）TID，并且提高了对单粒子效应的免疫力。其低 RDS(on) 和更快的开关时间使其成为高速开关应用的理想选择，包括 DC-DC 转换器和电机控制器。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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