现货，推荐
符合RoHS标准

IRHNJ67134B

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNJ67134B
IRHNJ67134B
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    12 A
  • 最高 ID (@25°C)
    19 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7589U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    88 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 LF, Au lead finish
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 LF, Au lead finish
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNJ67134B R6 N 沟道 MOSFET 是采用 SMD-0.5 封装的单个 150V、19A 器件。经过抗辐射处理，其电气性能高达 100krad（Si）TID，并且提高了对单粒子效应的免疫力。其低 RDS(on) 和更快的开关时间使其成为高速开关应用的理想选择，包括 DC-DC 转换器和电机控制器。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }