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IRHNJ67230

数据手册
封装

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IRHNJ67230
IRHNJ67230
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    3A
  • 最高 ID (@100°C)
    10 A
  • 最高 ID (@25°C)
    16 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7591U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    130 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNJ67230 是一款用于空间应用的抗辐射 R6 N 沟道 MOSFET。该 MOSFET 采用 SMD-0.5 封装，额定电压为 200V，额定电流为 16A，对 SEE 和 LET 的抗扰度高达 90MeV·cm2/mg。它具有低 RDS(on) 和更快的开关时间，使其成为高速开关应用的理想选择。COTS 额定值和电气性能高达 100krad(Si) TID。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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