IRHNJ6S7230

IRHNJ6S7230

数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNJ6S7230
IRHNJ6S7230
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    10 A
  • 最高 ID (@25°C)
    16 A
  • QG
    42 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    130 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    COTS

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNJ6S7230 是一款抗辐射 R6 N 沟道 MOSFET，额定电压为 100V，电流容量为 16A。在其 SMD-0.5 封装中，它提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。其低 RDS(on) 和更快的开关时间可降低功率损耗并提高高速开关应用的功率密度。COTS MOSFET 提供电压控制、易于并联和温度稳定性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区