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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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IRHNJ6S7230
商品详情
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ESD等级Class 2
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ID (@100°C) max10 A
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QG42 nC
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RDS (on) (@25°C) max130 mΩ
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SEEYes
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TID max100 Krad(Si)
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VBRDSS200 V
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VF max1.2 V
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可选TID等级 (kRad(si))100 300
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封装SMD-0.5
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极性N
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| 无卤素 |
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IRHNJ6S7230 是一款抗辐射 R6 N 沟道 MOSFET，额定电压为 100V，电流容量为 16A。在其 SMD-0.5 封装中，它提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。其低 RDS(on) 和更快的开关时间可降低功率损耗并提高高速开关应用的功率密度。COTS MOSFET 提供电压控制、易于并联和温度稳定性。