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IRHNJ93130

数据手册
封装

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IRHNJ93130
IRHNJ93130
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    -7 A
  • ID (@25°C) max
    -11 A
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    290 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -3 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    P
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNJ93130 是一款 R4、抗辐射、-100V、-11A、单 P 通道 MOSFET，采用 SMD-0.5 封装。其电气性能高达 300krad(Si) TID，并具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，使其适用于 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用，同时保留了 MOSFET 的优点。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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