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IRHNJ9A7130

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IRHNJ9A7130
IRHNJ9A7130

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL Part Number
    2N7648U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    34 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.5
  • Polarity
    N
  • Generation
    R9
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNJ9A7130 是采用 SMD-0.5 封装的抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET,具有 100V 和 35A 的能力。该器件的电气性能高达 100krad(Si) TID,并具有 COTS 分类。凭借改进的 SEE 抗扰度、低 RDS(on) 和更快的开关时间,该单个 MOSFET 非常适合太空中的 DC-DC 转换器和电机控制器。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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