IRHNJC597034
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IRHNJC597034

从 -30 V 到 -200 V,符合 DLA 太空应用标准

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IRHNJC597034
IRHNJC597034

商品详情

  • ESD等级
    1C
  • 最高 ID (@25°C)
    -21 A
  • QG
    45 nC
  • QPL部件号
    2N7520U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    85 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5C
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
抗辐射 R5 N 沟道 MOSFET IRHNJC597034 采用 SMD-0.5 封装。该 COTS 设备的额定电压为 -60V 和 -22A,适用于 DC-DC 转换器和电机控制等空间应用。电气性能高达 100krad(Si) TID,具有经过验证的可靠性以及低 RDS(on) 和栅极电荷。电压控制、快速切换和温度稳定性使其成为空间应用的理想选择。

特性

  • 单粒子效应 (SEE) 强化。
  • 超低 RDS(on)。
  • Proton耐受性
  • 低总栅极电荷
  • 简单的驱动要求
  • 易于并联
  • 密封
  • 陶瓷封装
  • 重量轻
  • 表面贴装
  • ESD 等级:1C 级,符合 MIL-STD-750,方法 1020

应用

文档

设计资源

开发者社区

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