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IRHNJC9A3130

数据手册
封装

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IRHNJC9A3130
IRHNJC9A3130
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL Part Number
    2N7648U3C
  • RDS (on) (@25°C) max
    34 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.5C
  • Polarity
    N
  • Generation
    R9
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Ceramic Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Ceramic Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNJC9A3130 是一款具有 100V、22A 能力的单个器件，采用 R9 SMD-0.5（陶瓷盖）封装，额定 TID 高达 300krad（Si）。其低 RDS(on) 和更快的开关时间可减少功率损耗、提高功率密度并在高速开关应用中提高对单粒子效应 (SEE) 的免疫力。R9 MOSFET 是一种 COTS 部件，非常适合空间应用。

应用

文档

文档

设计资源

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }