IRHNJC9A3130
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IRHNJC9A3130

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封装

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IRHNJC9A3130
IRHNJC9A3130
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    22 A
  • 最高 ID (@25°C)
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL部件号
    2N7648U3C
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    34 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5C
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Ceramic Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Ceramic Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNJC9A3130 是一款具有 100V、22A 能力的单个器件，采用 R9 SMD-0.5（陶瓷盖）封装，额定 TID 高达 300krad（Si）。其低 RDS(on) 和更快的开关时间可减少功率损耗、提高功率密度并在高速开关应用中提高对单粒子效应 (SEE) 的免疫力。R9 MOSFET 是一种 COTS 部件，非常适合空间应用。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区