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IRHNKC9A97130

数据手册
封装

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IRHNKC9A97130
IRHNKC9A97130
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@25°C)
    -24 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7660U3CE
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    72 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • 最高 VF
    -1.3 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5e
  • 极性
    P
  • 生成
    R9
  • 最高 电压等级
    -100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNKC9A97130 P 沟道 MOSFET 具有抗辐射性能，电压为 -100V 和电流为 -24A，采用单个 SMD-0.5e 增强型封装，配有陶瓷盖，电气性能高达 100krad(Si) TID。IR HiRel R9 技术在高可靠性空间应用方面提供了经过验证的飞行传承。该器件的低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为开关应用的理想选择。

应用

文档

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设计资源

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