不建议用于新设计

IRHNM9A7120

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHNM9A7120
IRHNM9A7120
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    14 A
  • ID (@25°C) max
    23 A
  • QG
    23 nC
  • QPL部件号
    2N7651U8
  • RDS (on) (@25°C) max
    55 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1.7
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET IRHNM9A7120 采用密封 SMD-0.2 封装。该单个 MOSFET 的额定电压为 100V，额定电流为 23A，非常适合空间应用。作为 COTS 部件，其电气性能高达 100krad（TID）。低 RDS(on) 和快速开关时间可减少功率损耗并提高功率密度，同时保留 MOSFET 的优势，例如电压控制和快速开关。

应用

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