不建议用于新设计

IRHNMC9A3024

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHNMC9A3024
IRHNMC9A3024
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    20 A
  • ID (@25°C) max
    25 A
  • QG
    31 nC
  • QPL部件号
    2N7650U8C
  • RDS (on) (@25°C) max
    30 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2C
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1.7
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNMC9A3024 R9 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射、60V、25A 器件，电气性能高达 300krad(Si) TID。它对 SEE 和 LET 的免疫力提高到 90 MeV·cm2/mg，非常适合空间应用。其低 RDS(on) 和快速开关时间使其成为 DC-DC 转换器和电机驱动器的理想选择。保留了 MOSFET 的优点，包括电压控制、快速开关和温度稳定性。

应用

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