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IRHNPC9A7110SCV
商品详情
-
ESD等级Class 1B
-
最高 ID (@25°C)9 A
-
QG9.5 nC
-
最高 RDS (on) (@25°C)150 mΩ
-
最高 TID100 Krad(Si)
-
VBRDSS100 V
-
最高 VF1.2 V
-
产品名称IRHNPC9A7110SCV
-
可选TID等级 (kRad(si))100
-
封装SMD-0.1
-
极性N
-
生成R9
-
芯片尺寸1
-
质量等级TXV
|
OPN
|
|
|---|---|
| 产品状态 | coming soon |
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SMD0.1 |
| 封装尺寸 | N/A |
| 封装类型 | N/A |
| 湿度 | N/A |
| 防潮封装 | N/A |
| 无铅 | No |
| 无卤素 | Yes |
| 符合RoHS标准 | No |
|
|
|
| 产品状态 | coming soon |
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SMD0.1 |
| 封装尺寸 | 0 |
| 封装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮封装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
IRHNPC9A7110SCV is a R9 generation, rad hard, single N-channel MOSFET in a SMD-0.1 package that can handle 100 V and 9 A. It is optimal for space applications as its combination of low RDS(on) and fast switching times will allow for betterperformance in applications such as DC-DC converter or motor drives.
特性
- Single event effect (SEE) hardened
- Fast switching
- Hermetically sealed
- Ceramic package
- Low total gate charge
- Light weight
- ESD rating: Class 1A (MIL-STD-750, 1020)
- Surface mount
- Simple drive requirements
应用
文档
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