IRHNS57260SESCS

数据手册

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IRHNS57260SESCS
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    34 A
  • 最高 ID (@25°C)
    53.5 A
  • QG
    155 nC
  • QPL部件号
    2N7473U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    38 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • 最低 VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNS57260SESCS R5 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射器件，具有 200V 和 53A 的能力，非常适合空间应用。它具有高达 100krad(Si) TID 的高电气性能、QIRL 分类、低 RDS(on) 和低栅极电荷，从而降低了功率损耗。该 MOSFET 采用 SupIR-SMD 封装，具有快速开关、电压控制和电气参数温度稳定性。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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