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IRHNS67160

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IRHNS67160
IRHNS67160

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    56 A
  • ID (@25°C) max
    56 A
  • QG
    170 nC
  • QPL部件号
    2N7579U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    10 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNS67160 是一款适用于空间应用的单个器件,具有 150V 额定电压和 56A 额定电流。它采用 IR HiRel R6 技术,并采用 SupIR-SMD 封装,电气性能高达 100krad(Si) TID 分类。它具有低 RDS(on) 和低栅极电荷,可降低 DC-DC 转换器和电机控制器中的功率损耗,同时保留 MOSFET 的所有优点。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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