IRHNS67160
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IRHNS67160

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IRHNS67160
IRHNS67160
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    56 A
  • 最高 ID (@25°C)
    56 A
  • QG
    170 nC
  • QPL部件号
    2N7579U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    10 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNS67160 是一款适用于空间应用的单个器件，具有 150V 额定电压和 56A 额定电流。它采用 IR HiRel R6 技术，并采用 SupIR-SMD 封装，电气性能高达 100krad(Si) TID 分类。它具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制器中的功率损耗，同时保留 MOSFET 的所有优点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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