IRHNS67164SCS

数据手册

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IRHNS67164SCS
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数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    49 A
  • ID (@25°C) max
    56 A
  • QG
    230 nC
  • QPL Part Number
    2N7581U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    18 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    150 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    6
  • Qualification
    QIRL
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
采用 SupIR-SMD 封装的抗辐射 R6 N 沟道 MOSFET IRHNS67164SCS 符合 QIRL 宇航级标准，电气性能高达 100krad(Si) TID。它支持 150V 和 56A，非常适合空间应用。MOSFET 具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗，同时保留 MOSFET 的所有优点。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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