IRHNS67264SCS

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IRHNS67264SCS
IRHNS67264SCS

商品详情

  • ESD Class
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    31.5 A
  • ID (@25°C) max
    50 A
  • QG
    220 nC
  • QPL Part Number
    2N7585U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    40 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    6
  • Qualification
    QIRL
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNS67264SCS R6 N 沟道 MOSFET 非常适合空间应用。它具有抗辐射设计,可承受 250V 和 50A。SupIR-SMD 封装可确保高性能功率、低 RDS(on) 和低栅极电荷,使其非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器。它还具有高达 100krad(Si) TID 和 QIRL 分类的优异电气性能。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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