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IRHNS7460SESCS

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IRHNS7460SESCS
IRHNS7460SESCS

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG
    220 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    320 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF max
    1.8 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这款采用 SupIR-SMD 封装的 R4 N 沟道 MOSFET 是一款适用于空间应用的抗辐射、500V、12A 设备。其 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术在卫星应用中提供了高性能和可靠性,具有低 RDS(on) 和低栅极电荷,可降低功率损耗。该 QIRL 设备以总剂量和单粒子效应 (SEE) 为特征,可提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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