IRHNS7460SESCS
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IRHNS7460SESCS

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IRHNS7460SESCS
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    12 A
  • 最高 ID (@25°C)
    20 A
  • QG
    220 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    320 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • 最高 VF
    1.8 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
这款采用 SupIR-SMD 封装的 R4 N 沟道 MOSFET 是一款适用于空间应用的抗辐射、500V、12A 设备。其 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术在卫星应用中提供了高性能和可靠性，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低功率损耗。该 QIRL 设备以总剂量和单粒子效应 (SEE) 为特征，可提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区