IRHNS9A3064SCS

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IRHNS9A3064SCS
IRHNS9A3064SCS

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    100 A
  • ID (@25°C) max
    100 A
  • QG
    194 nC
  • QPL Part Number
    2N7652U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    4 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R9
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    QIRL
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNS9A3064SCS R9 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射、60V、100A 器件。采用 SupIR-SMD 封装,它提供高达 300krad(Si) TID 的电气性能,并且达到 QIRL 空间级水平。由于具有低 RDS(on) 和更快的开关时间,它非常适合高速开关应用,例如 DC-DC 转换器和电机控制器。它对单粒子效应 (SEE) 和高达 90MeV·cm2/mg 的 LET 具有出色的免疫力,非常适合空间应用。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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