IRHNS9A3064SCS

数据手册

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IRHNS9A3064SCS
IRHNS9A3064SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    100 A
  • ID (@25°C) max
    100 A
  • QG
    194 nC
  • QPL部件号
    2N7652U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    4 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNS9A3064SCS R9 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射、60V、100A 器件。采用 SupIR-SMD 封装，它提供高达 300krad(Si) TID 的电气性能，并且达到 QIRL 空间级水平。由于具有低 RDS(on) 和更快的开关时间，它非常适合高速开关应用，例如 DC-DC 转换器和电机控制器。它对单粒子效应 (SEE) 和高达 90MeV·cm2/mg 的 LET 具有出色的免疫力，非常适合空间应用。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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