IRHQ567110SCS
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IRHQ567110SCS

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封装

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IRHQ567110SCS
IRHQ567110SCS
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (N-CH @100°C)
    2.9 A
  • 最高 ID (N-CH @25°C)
    4.6 A
  • 最高 ID (P-CH @100°C)
    -1.8 A
  • 最高 ID (P-CH @25°C)
    -2.8 A
  • QG
    13 nC
  • 最高 RDS (on) (N-CH @25°C)
    270 mΩ
  • 最高 RDS (on) (P-CH @25°C)
    960 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    100 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    300
  • 封装
    28-pin LCC
  • 拓扑结构
    Quad
  • 极性
    2N / 2P
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V, 100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 语言
    SPICE, SPICE
  • 质量等级
    QIRL

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-28
封装名 LCC-28 Standard
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-28
封装名 LCC-28 Standard
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHQ567110SCS 是一款 R5、抗辐射、100V 双 2N/2P 通道 MOSFET，采用 28 针 LCC 封装。该MOSFET的电气性能高达100krad(Si) TID和QIRL分类。该器件具有低 RDS(on) 和低总栅极电荷，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用。MOSFET 具有开关速度快、温度稳定等优点，可靠地适用于太空应用。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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