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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2x安全模块
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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2026英飞凌宽禁带论坛在深圳举行
美国国际贸易委员会（ITC）裁定英飞凌胜诉，并对英诺赛科实施进口及销售禁令
英飞凌发布2026财年第二季度运营成果： 增长前景乐观，上调全年业绩指引。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回暖。自第四季度起启用调整后的事业部架构
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
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IRHQ57110
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ESD等级Class 1A
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-
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-
QG13 nC
-
最高 RDS (on) (N-CH @25°C)270 mΩ
-
最低 VBRDSS100 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))300 500 1000
-
封装28-pin LCC
-
极性N
-
生成R5
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸1
-
认证标准COTS
-
语言SPICE
-
配置Quad
| 推荐的 | |
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OPN
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| 产品状态 | |
| 英飞凌封装名称 | |
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IRHQ57110 是一款 R5、抗辐射、100V 四 N 沟道 MOSFET，采用 28 针 LCC 封装。该 MOSFET 的电气性能高达 100krad(Si) TID，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用，具有低 RDS(on) 和低总栅极电荷。MOSFET 具有开关速度快、温度稳定等优点，可靠地适用于太空应用。
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