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IRHY67C30C

数据手册
封装

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IRHY67C30C
IRHY67C30C
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    2.1 A
  • ID (@25°C) max
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    3000 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-257AA
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 N/A
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 -
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHY67C30C R5 P 沟道 MOSFET 具有 -200V 和 -8A 容量，抗辐射能力强。采用TO-257AA封装，电气性能高达100krad(Si) TID，符合QIRL分类。该器件具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗，同时保留 MOSFET 的优点，例如电压控制、快速开关和温度稳定性。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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