IRHY67C30C
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IRHY67C30C

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封装

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IRHY67C30C
IRHY67C30C
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    2.1 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    3000 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHY67C30C R5 P 沟道 MOSFET 具有 -200V 和 -8A 容量，抗辐射能力强。采用TO-257AA封装，电气性能高达100krad(Si) TID，符合QIRL分类。该器件具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗，同时保留 MOSFET 的优点，例如电压控制、快速开关和温度稳定性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区