IRHY67C30CSCS
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IRHY67C30CSCS

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IRHY67C30CSCS
IRHY67C30CSCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    2.1 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    3000 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHY67C30CSCS R6 N 沟道 MOSFET 是一种具有 600V 和 3.4A 能力的抗辐射器件。其卓越的功率技术为高速开关应用提供了更高的功率密度和更快的开关时间。该 QIRL 设备具有低 RDS(on) 和高 SEE 免疫力，非常适合空间应用。其特征是 LET 高达 90MeV·cm2/mg，电气性能高达 100krad(Si) TID。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区