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IRHY67C30CSCS

数据手册
封装

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IRHY67C30CSCS
IRHY67C30CSCS
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    2.1 A
  • ID (@25°C) max
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    3000 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-257AA
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    QIRL
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 N/A
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 -
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHY67C30CSCS R6 N 沟道 MOSFET 是一种具有 600V 和 3.4A 能力的抗辐射器件。其卓越的功率技术为高速开关应用提供了更高的功率密度和更快的开关时间。该 QIRL 设备具有低 RDS(on) 和高 SEE 免疫力，非常适合空间应用。其特征是 LET 高达 90MeV·cm2/mg，电气性能高达 100krad(Si) TID。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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