IRHYB67130CMSCS
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IRHYB67130CMSCS

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IRHYB67130CMSCS
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    19 A
  • 最高 ID (@25°C)
    20 A
  • QG
    50 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    42 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHYB67130CMSCS R6 N 沟道 MOSFET 是航天级元件，额定值为 100V/20A，辐射硬度高达 100krad(Si) TID。采用 TO-257AA 无凸缘低欧姆封装，其低 RDS(on) 和栅极电荷可最大限度地减少 DC-DC 转换器和电机控制器的功率损耗。它还具有电压控制、快速切换和温度稳定等特点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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