IRHYS63134CMSCS

数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHYS63134CMSCS
IRHYS63134CMSCS
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    19 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    90 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-257AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    QIRL
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IR HiRel R6 N 沟道 MOSFET IRHYS63134CMSCS 具有 150V 和 19A 的抗辐射性能。它采用 TO-257AA 无凸缘低欧姆封装，电气性能高达 300krad(Si) TID。QIRL 空间级设备，其低 RDS(on) 和栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗。它具有 MOSFET 的优点，例如电压控制和温度稳定性。SEE 和总剂量表征性能高达 90 MeV·cm2/mg 的 LET。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }