IRHYS67134CMSCS

数据手册

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IRHYS67134CMSCS
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    19 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    90 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHYS67134CMSCS R6 N 沟道 MOSFET 是一种抗辐射器件，具有 TO-257AA 无凸缘低欧姆封装。它的最大电压为 150V，最大额定电流为 19A。该 MOSFET 具有总剂量和单粒子效应的特点，适合于空间应用。凭借低 RDS(on) 和低栅极电荷，它可以降低开关应用中的功率损耗。

应用

文档

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