IRHYS6S7130CM

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHYS6S7130CM
IRHYS6S7130CM

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    19 A
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    42 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-257AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHYS6S7130CM R6 N 沟道 MOSFET 是一款专为空间应用而设计的单辐射硬器件。其额定电压为 100V,额定电流为 20A,非常适合 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用。该 MOSFET 经过抗辐射处理,最高可达 100krad(Si) TID 级别。它还具有低 RDS(on)、低栅极电荷和快速开关的特点。

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }