IRHYS6S7130CMSCS

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IRHYS6S7130CMSCS
IRHYS6S7130CMSCS

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    19 A
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    42 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHYS6S7130CMSCS 是一款专为空间应用而设计的单 R6 N 沟道 MOSFET。它的额定电压为 100V,额定电流为 20A,非常适合 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用。该 MOSFET 经过抗辐射处理,可承受高达 100krad(Si)TID 和 QIRL 分类。它具有低 RDS(on)、低栅极电荷、快速开关和温度稳定性等特点。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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