IRHYS6S7130CMSCS

数据手册

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IRHYS6S7130CMSCS
IRHYS6S7130CMSCS
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    19 A
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    42 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-257AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R6
  • Die Size
    3
  • Qualification
    QIRL
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHYS6S7130CMSCS 是一款专为空间应用而设计的单 R6 N 沟道 MOSFET。它的额定电压为 100V，额定电流为 20A，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用。该 MOSFET 经过抗辐射处理，可承受高达 100krad（Si）TID 和 QIRL 分类。它具有低 RDS(on)、低栅极电荷、快速开关和温度稳定性等特点。

应用

文档

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