现货，推荐

IRHYS9A3130CM

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHYS9A3130CM
IRHYS9A3130CM
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    30 A
  • QG
    44 nC
  • QPL部件号
    2N7648T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    35 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR HiRel R9 技术为 IRHYS9A3130CM 抗辐射 N 沟道 MOSFET 提供了更高的 SEE 抗扰度。这些 R9 MOSFET 的特点是 LET 性能高达 90MeV·cm2/mg，额定电压为 100V，电流为 30A，采用 TO-257AA 低欧姆封装，适用于空间应用。这些 MOSFET 具有低 RDS(on)、更快的开关时间，并保留了 MOSFET 对于 DC-DC 转换器和电机控制器的优势。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }